9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2029UVT-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2029UVT-7参考价格为0.12396美元。Diodes Incorporated DMN2029UVT-7封装/规格:MOSFET N-CH 6.8A TSOT26。您可以下载DMN2029UVT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2029USD-13带引脚细节,包括DMN2029系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.002610盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,封装外壳设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供2通道数量的通道,器件具有8-SO供应商器件封装,配置为双通道,FET类型为2 N通道(双通道),功率最大值为1.2W,晶体管类型为2 N沟道,漏极至源极电压Vdss为20V,输入电容Cis-Vds为1171pF@10V,FET特性为逻辑电平门,25°C时的电流连续漏极Id为5.8A,最大Id Vgs上的Rds为25 mOhm@6.5A,4.5V,Vgs最大Id为1.5V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为18.6nC@8V,Pd功耗为1.2W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为53.5 ns,上升时间为10.4 ns,Vgs栅源电压为+/-8 V,Id连续漏电流为5.8 A 5.8 A,Vds漏源击穿电压为20 V 20 V,第Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V,Rds漏极-源极电阻为25mOhms 25mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为119.3ns,典型接通延迟时间为16.5ns,Qg栅极电荷为10.4nC,正向跨导最小值为10S,沟道模式为增强。
带有用户指南的DMN2028UVT-13,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术,该Si提供了DMN2028等系列功能,包装设计为在卷筒中工作,以及1个信道数。
带有电路图的DMN2028UVT-7,包括1个通道数量的通道,它们设计用于卷盘封装,系列如数据表注释所示,用于DMN2028,提供Si等技术特性,晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
DMN2028USS-13-F,带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN2028USS-13-F采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分。