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ITD50N04S4L07ATMA1

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 技术 -
  • 场效应管类型 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -

ITD50N04S4L07ATMA1 产品详情

特色

  • 双N通道逻辑电平公共漏极-增强模式
  • AEC合格
  • MSL1最高260°C峰值回流
  • 175°C工作温度
  • 绿色产品(符合RoHS)
  • 100%雪崩测试
ITD50N04S4L07ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ITD50N04S4L07ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ITD50N04S4L07ATMA1价格参考¥4.707885,你可以下载 ITD50N04S4L07ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ITD50N04S4L07ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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