9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHG73N60E-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHG73N60E-E3参考价格$9.47100。Vishay Siliconix SIHG73N60E-E3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC。您可以下载SIHG73N60E-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiHG33N65E-GE3带有引脚细节，包括EF系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如数据表注释所示，用于通孔，提供EF系列等商品名功能，包装盒设计用于to-247以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有313 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为67 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为32.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为103ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为115nC，正向跨导最小值为115S，沟道模式为增强。
SIHG47N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以1.340411盎司的单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供N沟道等晶体管极性特性，商品名设计用于E系列，以及Si技术，该设备也可以用作E系列。此外，Rds漏极-源极电阻为64 mOhm，器件提供148 nC Qg栅极电荷，器件具有357 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为47 A，配置为单一。
带有电路图的SiHG64N65E-GE3，包括1个通道数量的通道，它们设计用于E系列，数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N通道，晶体管类型设计用于1个N通道。
SIHG47N60S-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIHG47N60S-E3提供*封装，是IC芯片的一部分。
