9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的2SK3793-AZ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2SK3793-AZ价格参考1.36830美元。Renesas Electronics America Inc 2SK3793-AZ封装/规格：MOSFET N-CH 100V 12A TO220。您可以下载2SK3793-AZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SK3796-3-TL-E是JFET N-CH 10MA 100MW SMCP，包括2SK3796系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于SC-75、SOT-416，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SMCP中工作，该器件也可以用作N沟道FET型。此外，功率最大值为100mW，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1.2mA@10V的电流漏极Idss Vds Vgs=0，电流漏极Id最大值为10mA，电压截止Vgs关闭Id为180mV@1μa，输入电容Ciss Vds为4pF@10V，电阻RDS开启为200欧姆，Pd功耗为100 mW，并且Id连续漏极电流为10mA，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为200欧姆，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为3mS至6.5mS，Vgs栅源击穿电压为-30V，栅源截止电压为-0.95V。
2SK3796-2-TL-E是JFET N-CH 10MA 100MW SMCP，包括180mV@1μA电压切断VGS关断Id，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N通道，提供供应商设备包功能，如SMCP，系列设计用于2SK3796，该器件也可以用作100mW最大功率。此外，Pd功耗为100mW，该器件采用磁带和卷轴（TR）封装，该器件具有SC-75、SOT-416封装盒，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为4pF@10V，FET类型为N沟道，漏极到源极电压Vdss为30V，漏电流Idss-Vds-Vgs=0为600μA@10V，漏电流IdMax为10mA。
2SK3796-4-TL-E是JFET N-CH 10MA 100MW SMCP，包括10MA电流漏极Id Max，它们设计为在2.5mA@10V电流漏极Idss Vds Vgs=0的情况下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于30V，提供N通道、输入电容Cis Vds设计为在4pF@10V下工作，以及表面安装安装型，该装置也可以用作SC-75、SOT-416封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的最大功率为100mW，该设备具有200欧姆的电阻RDS开启，供应商设备包装为SMCP，电压切断VGS关闭Id为180mV@1μa。
2SK3797，采用TOSHIBA制造的EDA/CAD模型。2SK3797采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
