9icnet为您提供由EPC设计和生产的EPC2015，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EPC2015价格参考1.866美元。EPC EPC2015包/规范：GANFET N-CH 40V 33A模具外形。您可以下载EPC2015英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EPC1PI8N是IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP，包括EPC系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.032805盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Enpirion，以及8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）包装箱，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，电源电压为3V~3.6V，4.5V~5.5V，该设备采用8-PDIP供应商设备包提供，该设备具有1Mb内存大小，内存类型为闪存，可编程类型为OTP，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为50 uA，最大工作频率为8MHz，电源电压Max为5.25V，电源电压Min为3V。
带用户指南的EPC2012C，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于与模具轮廓（4焊条）供应商设备包一起操作，系列如数据表注释所示，用于eGaNR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如100 mOhm@3A、5V，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及模具包装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供140pF@100V输入电容Ciss Vds，器件具有1.3nC@5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为GaNFET N沟道，氮化镓，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为200V，25°C电流连续漏极Id为5A（Ta）。
带有电路图的EPC2014C，包括10A（Ta）电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在40V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性显示在数据表注释中，用于标准，提供FET类型特性，如GaNFET N沟道、氮化镓、栅极电荷Qg Vgs设计为在2.5nC@5V下工作，除了300pF@20V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该器件采用裸片封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大Id Vgs的Rds为16 mOhm@10A，5V，该系列为eGaNR，供应商器件封装为管芯外形（5焊条），Vgs th Max Id为2.5V@2mA。
具有ALTERA制造的EDA/CAD模型的EPC1SI8N。EPC1SI8N在SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
