- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
•低导通电阻
RDS(开启)=最大4.2 mΩ(VGS=10 V,ID=50 A)
•低输入电容
Cis=7730 pF典型值。(VDS=25伏,VGS=0伏)
•高电流
ID(DC)=±100 A
•符合RoHS
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
2500+ | 6.32602 | 15815.05250 |
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•低导通电阻
RDS(开启)=最大4.2 mΩ(VGS=10 V,ID=50 A)
•低输入电容
Cis=7730 pF典型值。(VDS=25伏,VGS=0伏)
•高电流
ID(DC)=±100 A
•符合RoHS
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