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NP33N06YDG-E1-AY

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 1W(Ta),97W(Tc) 供应商设备包装: 8-HSON 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
2500+ 6.32602 15815.05250
  • 库存: 9000
  • 单价: ¥169.31003
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥169.31
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 78 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3900 pF @ 25 V
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
  • 最大功耗 1W(Ta),97W(Tc)
  • 供应商设备包装 8-HSON
  • 导通电阻 Rds(ON) 14欧姆@16.5A,10V

NP33N06YDG-E1-AY 产品详情

  • 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
  • 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性

特色


•低导通电阻
RDS(开启)=最大4.2 mΩ(VGS=10 V,ID=50 A)
•低输入电容
Cis=7730 pF典型值。(VDS=25伏,VGS=0伏)
•高电流
ID(DC)=±100 A
•符合RoHS

NP33N06YDG-E1-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP33N06YDG-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP33N06YDG-E1-AY价格参考¥169.310030,你可以下载 NP33N06YDG-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP33N06YDG-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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