9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDG361N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDG361N价格参考6.69美元。onsemi FDG361N封装/规格：MOSFET N-CH 100V 600MA SC88。您可以下载FDG361N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDG332PZ是MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SC-70-6，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为480mW，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为560pF@10V，FET特性为逻辑电平门，1.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为2.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为95mOhm@2.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.8nC@4.5V，Pd功耗为750mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为4.8纳秒，上升时间为4.8 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为95毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为59纳秒，典型开启延迟时间为5.2ns，信道模式为增强。
FDG330P-NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDG330P-NL采用SC706L封装，是IC芯片的一部分。
FDG332PZ-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDG332PZ-NL采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
