9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD1HNC60T4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD1HNC60T4参考价格为16.554美元。STMicroelectronics STD1HNC60T4封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK。您可以下载STD1HNC60T4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD1HN60K3是MOSFET N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于SuperMESH，以及to-252-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为27 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为1.2A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.75V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为9.5nC，沟道模式为增强型。
STD1HNC60带有ST制造的用户指南。STD1HNC50采用TO-251-3封装，是FET的一部分-单个。
STD1HNC60-1带有ST制造的电路图。STD1HNC50-1采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
