9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD30NE06L,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STD30NE06L参考价格为15.596美元。STMicroelectronics STD30NE06L封装/规格:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK。您可以下载STD30NE06L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD30N10F7带有引脚细节,包括N沟道STripFET系列,它们设计用于卷盘封装,单位重量如数据表注释所示,用于0.13932盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-252-3以及Si技术,该设备也可用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有50W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为5.6 ns,上升时间为17.5 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为32 a,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V,Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为22ns,典型接通延迟时间为12ns,Qg栅极电荷为19nC。
STD2NM60T4是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 2A DPAK。STD2NM6T4可提供TO-252-3,DPAK(2引线+接线片),SC-63封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH600V 2A DPAK,N通道600V 2A(Tc)46W(Tc,表面安装D-Pak。
STD30N6LF6AG,带有ST制造的电路图。STD30N5LF6AG采用TO-252封装,是晶体管-场效应晶体管、MOSFET-单个、,并支持“MOSFET汽车级N沟道60 V、N沟道60V 24A(Tc)40W(Tc)表面安装DPAK、Trans MOSFET N-CH 60V 24B汽车级3引脚(2+Tab)DPAK T/R、MOSFET汽车级别N沟道50 V、典型19 mOhm、DPAK封装中的24 A STripFET F6功率MOSFET”。