9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD3NM50T4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD3NM50T4参考价格$9.764。STMicroelectronics STD3NM50T4封装/规格：MOSFET N-CH 550V 3A DPAK。您可以下载STD3NM50T4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD3NK90ZT4是MOSFET N-CH 900V 3A DPAK，包括STD3NK9Z系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有90 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3 a，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为22.7nC，正向跨导最小值为2.7S，沟道模式为增强。
STD3NK90Z带有ST制造的用户指南。STD3NK9Z可在SOT252封装中获得，是FET的一部分-单。
STD3NM50是由ST制造的MOSFET N-CH 550V 3A DPAK。STD3NM20有TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH550V 3A DPE。
