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STD60NF55LT4是MOSFET N-CH 55V 60A DPAK,包括STD60NF 55L系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.13932盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-252-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有110 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为35 ns,上升时间为180 ns,Vgs栅极-源极电压为15 V,Id连续漏极电流为60 a,Vds漏极-源极击穿电压为55V,Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为80ns,典型接通延迟时间为30ns,正向跨导最小值为35S,沟道模式为增强。
STD60NF55LAT4是由ST制造的MOSFET N-CH 55V 60A DPAK。STD60NF-55LAT4采用TO-252封装,是IC芯片的一部分,支持MOSFET N-CH55V 60A-DPAK。
STD60NH03L-1是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK。STD60NH03L-1可提供TO-251-3长引线、IPak、TO-251AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH30V 60V 60A I PAK、N沟道30V 60B(Tc)70W(Tc)通孔I-PAK。