久芯网

NIF9N05CLT1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 52 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 1.69W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥20.70021
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.70
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@100A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V
  • 供应商设备包装 SOT-223 (TO-261)
  • 部件状态 过时的
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 3V、10V
  • 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@2.6A,10V
  • 最大功耗 1.69W(Ta)
  • 漏源电压标 (Vdss) 52 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 250 pF @ 35 V

NIF9N05CLT1 产品详情

NIF9N05CLT1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NIF9N05CLT1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NIF9N05CLT1价格参考¥20.700208,你可以下载 NIF9N05CLT1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NIF9N05CLT1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部