9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTP60N06G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTP60N06G参考价格$3.3。onsemi NTP60N06G封装/规格：MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB。您可以下载NTP60N06G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTP5864NG是MOSFET N-CH 60V 63A TO-220，包括NTP5864N系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有107 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为63 a，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，漏极-源极电阻Rds为12.4毫欧，晶体管极性为N沟道。
NTP5863NG是MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件还可以用作7.8毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为150 W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-220-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为97 a，配置为单一。
NTP60N06是ON公司制造的MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB。NTP60M06采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH60V 60A-TO220AB、N沟道60V 60V（Ta）2.4W（Ta）、150W（Tj）通孔TO-220AB。
