9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的TN2524N8-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TN2524N8-G价格参考1.08900美元。Microchip Technology TN2524N8-G封装/规格：MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA。您可以下载TN2524N8-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TN2510N8-G是MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3，包括卷轴封装，它们设计为单位重量为0.001862盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOT-89-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供1.6 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为730 mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
TN2504N8-G是MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001862盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以10ns上升时间提供，器件具有1欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.6W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-89-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为890 mA，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
TN2520N8-G，带有SUPERTEX制造的电路图。TN2520N8-G采用SOT-89封装，是IC芯片的一部分。
