9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTD15N06-001，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTD15N06-001参考价格为0.15000美元。onsemi NTD15N06-001封装/规格：MOSFET N-CH 60V 15A IPAK。您可以下载NTD15N06-001英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTD14N03RT4G是MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK，包括NTD14NO3R系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计为适用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1信道数信道，该器件具有供应商器件封装的DPAK，配置为单一，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，功率最大值为1.04W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为115pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为95mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.8nC@5V，Pd功耗为1.56W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为27ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds导通漏极-漏极电阻为70.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.6ns，典型导通延迟时间为3.8ns，正向跨导最小值为7S，信道模式是增强。
NTD14N03RT4是ON公司制造的MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK。NTD14NO3RT4可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH25V 2.5A-DPAK、N沟道25V 2.5V（Ta）1.04W（Ta）、20.8W（Tc）表面安装DPAK。
NTD14N03RTCG，带有FAIRCHILD制造的电路图。NTD14N03RTCG采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
NTD15N06，带有ON制造的EDA/CAD模型。NTD15NO6以TO-252封装形式提供，是FET的一部分-单个。
