9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQP16N15，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQP16N15参考价格$15.96426。onsemi FQP16N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3。您可以下载FQP16N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQP15P12是MOSFET P-CH 120V 15A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP15P12_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有100 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为80 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为15 a，Vds漏极-源极击穿电压为-120V，Rds导通漏极-漏极电阻为200mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为9.5S，沟道模式为增强型。
FQP14N30是MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在300 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以145 ns上升时间提供，器件具有290 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为147 W，零件别名为FQP14N30_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9.1 A，正向跨导最小值为9.5 S，下降时间为70 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQP14N15是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 150V 14.4A TO-220。FQP14N15在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 150V 14.4A TO-220、N沟道150V 14.4V（Tc）104W（Tc）通孔TO-220-30、Trans MOSFET N-CH150V 14.4 A 3引脚（3+Tab）TO-220。
