9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD2N60TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD2N60TM参考价格$1.8。onsemi FQD2N60TM封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK。您可以下载FQD2N60TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD2N60CTM是MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK，包括QFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作，零件别名如数据表注释所示，用于FQD2N6OCTM_NL，提供单位重量功能，如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252-3，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为235pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.9A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.7 Ohm@950mA，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为28ns，上升时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为1.9A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极源极电阻为3.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为5S，信道模式为增强。
FQD2N60CTM_WS带用户指南，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作4.7欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为1.9 a，配置为单通道。
FQD2N60TF是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 600V 2A DPAK。FQD2N60TF采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 2A DPak、N通道600V 2A（Tc）2.5W（Ta）、45W（Tc）表面安装D-Pak。
