9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD10N20TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD10N20TM参考价格$3.978。onsemi FQD10N20TM封装/规格：MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK。您可以下载FQD10N20TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD10N20LTM是MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK，包括QFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为830pF@25V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为7.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为360mOhm@3.8A，10V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@5V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为95ns，上升时间为150ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.6A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为290mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为9.6S，信道模式是增强。
FQD10N20LZ，带有FSC制造的用户指南。FQD10N20LZ采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
FQD10N20TF是FAI制造的MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK。FQD10N20TF可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 7.6A DPak、N沟道200V 7.6V（Tc）2.5W（Ta）、51W（Tc）表面安装D-Pak。
