9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF10N20，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF10N20参考价格$6.508。onsemi FQPF10N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F。您可以下载FQPF10N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQP9P25是MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP9P25_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有120 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为65 ns，上升时间为150 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为9.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-250V，Rds导通漏极-漏极电阻为620mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为5.7S，沟道模式为增强。
FQP9N90C是MOSFET N-CH 900V 8A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如50 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为120 ns，器件的漏极-源极电阻为1.4欧姆，Pd功耗为205 W，零件别名为FQP9N90C_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为8 A，正向跨导最小值为9.2 S，下降时间为75 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQP9N90CT，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQP9N90CT采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
