9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF28N15T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF28N15T参考价格为2.232美元。onsemi FQPF28N15T封装/规格：MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F。您可以下载FQPF28N15T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF27P06是MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F，包括QFETR系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于TO-220-3全封装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220F，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为47W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1400pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为17A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为70 mOhm@8.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为43nC@10V，Pd功耗为47W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为185ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为70mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型导通延迟时间为18ns，正向跨导最小值为12S，信道模式是增强。
FQPF27N25是MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如32 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为270 ns，器件的漏极-源极电阻为110 mOhms，Pd功耗为55 W，零件别名为FQPF27N25_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为14 A，正向跨导最小值为15 S，下降时间为120 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF27N25T是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F。FQPF27N25T采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F、N沟道250V 14V（Tc）55W（Tc）通孔TO-220F、Trans MOSFET N-CH250V 14B 3-Pin（3+Tab）TO-220F/R。
FQPF28N15是FSC制造的MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F。FQPF28N15采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F、N沟道150V 16.7 A（Tc）60W（Tc）通孔TO-220F。
