9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF6N90，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF6N90参考价格为15.746美元。onsemi FQPF6N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F。您可以下载FQPF6N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF6N80T是MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF6N60T_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有51 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为3.3 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.95欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为4.3S，沟道模式为增强型。
FQPF6N80C是MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为47 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为65 ns，器件的漏极-源极电阻为2.5欧姆，Pd功耗为51 W，零件别名为FQPF6N80C_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.5 A，正向跨导最小值为5.4 S，下降时间为44 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF6N80CT是MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于44 ns，提供正向跨导最小特性，如5.4 S，Id连续漏电流设计为工作在5.5 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-220-3封装盒，封装为管，Pd功耗为51 W，漏极电阻Rds为2.5欧姆，上升时间为65 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为26ns，单位重量为0.080072oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为30V。
