9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQP3N90，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQP3N90参考价格为4.564美元。onsemi FQP3N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3。您可以下载FQP3N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQP3N80C是MOSFET N-CH 800V 3A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP3N8OC_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有107 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为43.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22.5ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为3S，沟道模式为增强。
FQP3N60C是MOSFET N-CH 600V 3A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为30 ns，器件的漏极电阻为3.4欧姆，Pd功耗为75 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为3A，正向跨导最小值为3.5S，下降时间为35ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQP3N80是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 800V 3A TO-220。FQP3N80在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 800V 3A TO-220、N沟道800V 3A（Tc）107W（Tc）通孔TO-220-30、Trans MOSFET N-CH800V 3A 3-Pin（3+Tab）TO-220。
