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FQU20N06LTU是MOSFET 60V N沟道QFET逻辑电平，包括管封装，它们设计为与FQU20N6LTU_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.012102盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在IPAK-3中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为70 ns，上升时间为165 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为17.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为63mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为10S，沟道模式为增强。
FQU1N80TU是MOSFET N-CH 800V 1A IPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.012102盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为15 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在25 ns上升时间内提供，该器件具有20欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.5 W，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为1A，正向跨导最小值为0.75 S，下降时间为25 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQU20N06，电路图由FSC制造。FQU20N06在TO-251封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQU20N06L是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK。FQU20N06L有TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 17.2A IPak。
