9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD6N40TF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD6N40TF参考价格$5.256。onsemi FQD6N40TF封装/规格：MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK。您可以下载FQD6N40TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD6N40CTM是MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK，包括QFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于FQD6N4OCTM_NL，提供单位重量功能，如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252-3，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为400V，输入电容Cis-Vds为625pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1 Ohm@2.25A、10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为38纳秒，上升时间为65纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为400 V，Rds漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21纳秒，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为4.7S，信道模式为增强。
FQD6N40CTM_NBEA002带用户指南，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为65 ns，器件的漏极-源极电阻为1欧姆，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.5 A，下降时间为38 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQD6N40CTF是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK。FQD6N40CTF可采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 400V 4.5A DPak、N通道400V 4.5A（Tc）2.5W（Ta）、48W（Tc）表面安装D-Pak、Trans MOSFET N-CH400V 4.5A 3-Pin（2+接线片）DPak T/R。
