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FQD20N06TM是MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK,包括卷轴封装,其设计为单位重量为0.009184盎司,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能,技术设计为在Si中工作,以及1信道数的信道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供2.5 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为25 ns,上升时间为45 ns,Vgs栅源电压为25 V,Id连续漏电流为16.8 A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds漏极漏极-漏极电阻为63mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为20ns,典型接通延迟时间为5ns,正向跨导最小值为10S,沟道模式为增强。
FQD20N60,带有FSC制造的用户指南。FQD20N60采用TO-252封装,是IC芯片的一部分。
FQD24N08,带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD24N08提供TO-252封装,是FET的一部分-单个。