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FQP3P50是MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220，包括QFETR系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为85W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为660pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为2.7A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.9 Ohm@1.35A，10V，Vgs的最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，Pd功耗为85 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为56ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为2.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.9欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为12ns，正向跨导最小值为2.35S，信道模式是增强。
FQP3P20是MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.063493盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如8.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为35 ns，器件的漏极-源极电阻为2.7欧姆，Pd功耗为52 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为2.8A，正向跨导最小值为1.23S，下降时间为25ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQP3N90是FSC制造的MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220。FQP3N90在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220，N沟道900V 3.6V（Tc）130W（Tc）通孔TO-220-3。
