9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD1P50TF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD1P50TF价格参考1.858美元。onsemi FQD1P50TF封装/规格：MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK。您可以下载FQD1P50TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD1N80TM是MOSFET功率MOSFET，包括卷轴封装，它们设计为与FQD1N810TM_NL部件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计为在to-252-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为25纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为1 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为20欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为0.75S，沟道模式为增强。
FQD1N60TM是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 600V 1A DPAK。FQD1N60TM采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 1A DPak、N通道600V 1A（Tc）2.5W（Ta）、30W（Tc）表面安装D-Pak、Trans MOSFET N-CH600V 1A 3-Pin（2+接线片）DPak T/R。
FQD1N80，电路图由FSC制造。FQD1N80有TO-252封装，是FET的一部分-单体。
FQD1P50，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FQD1P50采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
