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FQP12P20是MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP12P20_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计为在TO-220-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有120 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为195 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为11.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Rds导通漏极-漏极电阻为470 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为40 ns，典型接通延迟时间为20 ns，正向跨导最小值为6.4 S，沟道模式为增强型。
FQP12P10是MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.063493盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为硅，器件的上升时间为160纳秒，器件具有290毫欧姆的漏极电阻，Pd功耗为75 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为11.5 A，正向跨导最小值为6.7 S，下降时间为60 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQP12N65C，电路图由FSC制造。FQP12N65C采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
