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FQP19N20C是MOSFET N-CH 200V 19A TO-220,包括管封装,它们设计为与FQP19N2 0C_NL零件别名一起工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.063493盎司,提供安装类型功能,如通孔,封装盒设计为在TO-220-3以及Si技术中工作,该设备也可以用作1通道数量的通道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有139 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为115 ns,上升时间为150 ns,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为19 a,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为135ns,典型接通延迟时间为15ns,正向跨导最小值为10.8S,沟道模式为增强。
FQP19N20L是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 200V 21A TO-220。FQP19N20L可在TO-220-3封装中获得,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 200V 21A TO-220、N沟道200V 21V(Tc)140W(Tc)通孔TO-220-3。
FQP1N60是FSC制造的MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220。FQP1N60在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220、N沟道600V 1.2A(Tc)40W(Tc)通孔TO-220-30、跨MOSFET N-CH600V 1.2A 3引脚(3+Tab)TO-220。