9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQP1N60，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQP1N60参考价格18.8美元。onsemi FQP1N60封装/规格：MOSFET N-CH 600V 1.2A TO220-3。您可以下载FQP1N60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQP19N20C是MOSFET N-CH 200V 19A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP19N2 0C_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有139 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为115 ns，上升时间为150 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为19 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为135ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为10.8S，沟道模式为增强。
FQP19N20是MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以190 ns上升时间提供，器件具有150 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为140 W，零件别名为FQP19N20_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为19.4 A，正向跨导最小值为14.5 S，下降时间为80 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQP19N20L是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 200V 21A TO-220。FQP19N20L可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 21A TO-220、N沟道200V 21V（Tc）140W（Tc）通孔TO-220-3。
