9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF34N20，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF34N20参考价格$7.094。onsemi FQPF34N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F。您可以下载FQPF34N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF32N20C是MOSFET N-CH 200V 28A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF32N2 0C_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有50W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为210 ns，上升时间为270 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为28 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为82mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为245ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为20S，沟道模式为增强。
FQPF33N10是MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为195 ns，器件的漏极-源极电阻为52 mOhms，Pd功耗为41 W，零件别名为FQPF33N10_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为18 A，正向跨导最小值为20 S，下降时间为110 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF33N10L是MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了120 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如22 S，Id连续漏电流设计为在18 a下工作，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-220-3封装盒，封装为管，Pd功耗为41 W，漏极电阻Rds为52 mOhms，上升时间为470 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.080072oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
