9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF8N60CYDTU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF8N60CYDTU参考价格为1.982美元。onsemi FQPF8N60CYDTU封装/规格：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3。您可以下载FQPF8N60CYDTU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FQPF8N60C是MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF8N60C_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，具有通孔等安装方式特征，封装外壳设计为在TO-220-3中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有48W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为64.5 ns，上升时间为60.5 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为7.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为81ns，典型接通延迟时间为16.5ns，正向跨导最小值为8.7S，沟道模式为增强。
FQPF8N60CFT是MOSFET N-CH/60V/6.26 A QFET C系列，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为81 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为60.5 ns，器件的漏极电阻为1.5欧姆，Pd功耗为48 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.26 A，正向跨导最小值为8.7 S，下降时间为64.5 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQPF8N60，电路图由FSC制造。FQPF8N60在TO-220F封装中提供，是FET的一部分-单个。
