9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQP90N08，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQP90N08价格参考2.382美元。onsemi FQP90N08封装/规格：MOSFET N-CH 80V 71A TO220-3。您可以下载FQP90N08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FQP90N08价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FQP8N90C是MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP8N9OC_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有171 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为70 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6 a，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为40ns，正向跨导最小值为5.5S，沟道模式为增强。
FQP8P10是MOSFET P-CH 100V 8A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为硅，器件的上升时间为110纳秒，器件的漏极电阻为530毫欧姆，Pd功耗为65 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为8 A，正向跨导最小值为4.3 S，下降时间为35 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQP8N90是FSC制造的MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220。FQP8N90采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220。
