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IPW60R299CP是MOSFET N-CH 600V 11A TO-247，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW60R299CPFKSA1 IPW60R199CPXK SP000103251，该产品提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为96 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为299mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPW60R280E6是MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有典型的关断延迟时间特性，如71 nS，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS E6系列，该器件具有9 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为280 mOhms，Qg栅极电荷为43 nC，Pd功耗为104 W，部件别名为IPW60R280E6FKSA1 IPW60R180E6XK SP000797382，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13.8 A，下降时间为9 ns，配置为单一。
IPW60R280P6是MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3，包括6 A Id连续漏极电流，设计用于通孔安装型，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供to-247-3等封装外壳功能，包装设计用于管，以及IPW60R180P6FKSA1 SP001017086零件别名，该器件也可以用作280欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，该系列为XPW60R280，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为1.340411盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600 V。
IPW60R280P6FKSA1，带EDA/CAD型号，包括管封装，设计用于to-247-3封装盒，技术如数据表注释所示，用于Si，提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPW60R180P6 SP001017086，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，信道数为1信道。
