9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN5L06-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN5L06-7参考价格$7.5。Diodes Incorporated DMN5L06-7封装/规格：MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3。您可以下载DMN5L06-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN55D0UTQ-7是MOSFET N-Ch Enh模式FET 50Vdss 12Vgss 160mA，包括DMN55系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SOT523等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供200 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-12 V，Id连续漏极电流为160 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为800mV，Rds漏极-源极电阻为3.1欧姆，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为180mS，沟道模式为增强。
DMN55DOUT-7，带有DIODES制造的用户指南。DMN55DOUT-7采用SOT523封装，是IC芯片的一部分。
DMN56D8LW-7-F，电路图由DIODES制造。DMN56D8LW-7-F采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
