STD30NF06LAG

Name: STD30NF06LAG
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7155749-STD30NF06LAG
Price: 3.220773 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 供应商设备包装: DPAK
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
供应商设备包装 DPAK
导通电阻 Rds(ON) -
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
最大功耗 -
工作温度 -
漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Tc)

STD30NF06LAG 产品详情

该功率MOSFET是STMicroelectris独特的“单功能尺寸TM”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度，具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤，因此具有显著的制造再现性。

特色

TYPICALRDS（开）=0.020Ω
100%雪崩测试
卓越的dv/dt性能
表面安装dpak（至252）动力包安装和卷轴（后缀“T4\”）
通孔（至251）动力包intube（后缀“-1\”）

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STD30NF06LAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD30NF06LAG 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD30NF06LAG价格参考￥3.220773，你可以下载 STD30NF06LAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD30NF06LAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！