9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD11NM60N-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD11NM60N-1参考价格$4.382。STMicroelectronics STD11NM60N-1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK。您可以下载STD11NM60N-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD11NM50N是MOSFET N-CH 500V 9A DPAK，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有70W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，下降时间为10ns，上升时间为10s，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，Id连续漏极电流为8.5A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs的栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为470mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为19nC。
STD11NM60N是MOSFET N-CH 600V 10A DPAK，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为18.5ns，漏极电阻Rds为450mOhms，Pd功耗为90W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为10A，下降时间为12ns，配置为单一，通道模式为增强。
带有电路图的STD11N65M2，包括15 ns的下降时间，它们设计为在7 a Id连续漏极电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT以及to-252-3封装盒中工作，该器件也可用作卷筒封装。此外，Pd功耗为85 W，器件提供12.5 nC Qg栅极电荷，器件具有670 mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为7.5 ns，系列为MDmesh M2，技术为Si，商品名为MDmesh-II Plus，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26 ns，典型接通延迟时间为9.5 ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为25V，Vgsth栅源极阈值电压为3V。
STD11N65M5是MOSFET N CH 650V 9A DPAK，包括TO-252-3封装盒，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、晶体管极性等封装功能，设计为在N沟道以及MDmesh M5系列中工作。该器件还可以用作9 a Id连续漏电流。此外，Pd功耗为85 W，该器件提供650 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件具有480 mOhms的漏极-漏极电阻，单位重量为0.13932盎司。
