9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXKP13N60C5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXKP13N60C5参考价格为19.088美元。IXYS IXKP13N60C5封装/规格：MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB。您可以下载IXKP13N60C5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXKN40N60C是MOSFET 40安培600V，包括IXKN40N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于COOLMOS，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为10 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为250nC，沟道模式为增强。
IXKK85N60C是MOSFET N-CH 600V 85A TO-264，包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，典型开启延迟时间设计为20 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以COOLMOS商品名提供，该器件具有技术硅，系列为IXKK85N60，上升时间为27ns，漏极-源极电阻Rds为30mOhm，Qg栅极电荷为500nC，封装为管，封装外壳为TO-264-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为85 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXKN45N80C，电路图由IXYS制造。IXKN45N80C以模块封装形式提供，是模块的一部分，N通道800V 44A（Tc）380W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH 800V 44B 4引脚SOT-227A。
IXKN75N60C，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXKN75N60C在模块封装中提供，是模块的一部分，N通道600V 75A（Tc）560W（Tc）底盘安装SOT-227B，跨接MOSFET N-CH 600V 75A 4引脚SOT-227A，MOSFET 75安培600V。
