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IXKP20N60C5M是MOSFET 20安培600V，包括IXKP20N060系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于COOLMOS，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为33 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为7.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5 V，Rds导通漏极-漏极电阻为200毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50 ns，典型导通延迟时间为10 ns，沟道模式为增强型。
IXKP13N60C5M是MOSFET 13安培600V，包括3.5 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于600 V，提供单位重量功能，如0.081130盎司，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作COOLMOS商标名。此外，该技术为Si，该器件为IXKP13N60系列，该器件的漏极-源极电阻为300 mOhms，Qg栅极电荷为30 nC，Pd功耗为32 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.5A，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXKP24N60C5是MOSFET 24安培600V，包括增强通道模式，设计用于单配置，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于24 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管式封装，器件具有250W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为165mOhms，系列为IXKP24N60，技术为Si，商品名为COOLMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
