9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXUC160N075，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXUC160N075参考价格为8.67美元。IXYS IXUC160N075封装/规格：MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220。您可以下载IXUC160N075英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTY5N50P是MOSFET 5安培500V 1.3欧姆Rds，包括IXTY5N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为89 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为4.8A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为12.6nC，正向跨导最小值为3S，并且信道模式是增强。
带有用户指南的IXTY8N65X2，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-30 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为24 ns，以及53 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为28ns，器件的漏极-源极电阻为500mOhm，Qg栅极电荷为12nC，Pd功耗为150W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为8 A，正向跨导最小值为4.8 S，下降时间为24 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXTZ550N055T2是MOSFET 550Amps 55V，包括增强通道模式，它们设计为在230 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了95 s内使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如550 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，封装外壳为DE-475-6，器件采用管式封装，器件具有600W的Pd功耗，Qg栅极电荷为595nC，Rds漏极-源极电阻为1mOhms，上升时间为40ns，系列为IXTZ550N055，技术为Si，商品名为TrenchT2 GigaMOS，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为45ns，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为4V。
