9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SI9435DY，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI9435DY价格参考1.028美元。onsemi SI9435DY封装/规格：MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC。您可以下载SI9435DY英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI9435BDY-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI9435BD Y-E3的零件别名，该SI9435BDY-E3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为4.1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为42 mOhm@5.7A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为14纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为5.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极电阻为42mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
SI9435BDY-TI-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI9435BDY-TI-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
SI9435D/BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI9435D/BDY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
