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STD1NK60T4是MOSFET N-CH 600V 1A DPAK，包括SuperMESH？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为30W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为156pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1A（Tc），最大Id Vgs的Rds为8.5 Ohm@500mA，10V，Vgs的最大Id为3.7V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@10V，Pd功耗为30W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为5ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为1A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型导通延迟时间为6.5ns，Qg栅极电荷为7nC，并且前向跨导Min为1S，并且信道模式为增强。
STD1NK80，带有ST制造的用户指南。STD1NK90采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
STD1NK80Z，带有ST制造的电路图。STD1NK70Z采用TO-252封装，是FET的一部分-单体。
