9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD150NH02L-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD150NH02L-1参考价格为22.258美元。STMicroelectronics STD150NH02L-1封装/规格：MOSFET N-CH 24V 150A IPAK。您可以下载STD150NH02L-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如STD150NH02L-1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STD150N3LLH6是MOSFET N-CH 30V 80A DPAK？，STripFET？VI系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为110W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为3700pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为80A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.8mOhm@40A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为29nC@4.5V，Pd功耗为110W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为18ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为17ns，沟道模式为增强型。
STD150NH02带有ST制造的用户指南。STD150NH02采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
STD150NH02L，带有ST制造的电路图。STD150NH02L可用于TO252封装，是FET的一部分-单个。
