9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTD65N03R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTD65N03R参考价格0.28000美元。onsemi NTD65N03R封装/规格：MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK。您可以下载NTD65N03R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTD6416ANT4G是MOSFET N-CH 100V 17A DPAK，包括NTD6416AN系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的DPAK-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为71W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为620pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为17A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为81mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为71W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为22ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为81mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为9.2ns，Qg栅极电荷为20nC，正向跨导Min为12S。
NTD6416ANLT4G是MOSFET N-CH 100V 19A DPAK，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，以及35 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的DPAK-3，系列为NTD6416ANL，上升时间为16ns，Rds On Max Id Vgs为74mOhm@19A，10V，Rds On漏极-源极电阻为74m欧姆，Qg栅极电荷为25nC，功率最大值为71W，Pd功耗为71W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Ciss Vds为1000pF@25V，Id连续漏极电流为19A，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为40ns，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为19A（Tc），配置为单一，信道模式是增强。
NTD65N03G，带有ON制造的电路图。NTD65NO3G采用TO251封装，是IC芯片的一部分。
