9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDG314P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDG314P价格参考9.996美元。onsemi FDG314P封装/规格：MOSFET P-CH 25V 650MA SC88。您可以下载FDG314P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDG313N是MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6，包括卷轴封装，它们设计用于FDG313N_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SC-70-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有750 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8.5 ns，上升时间为8.5纳秒，Vgs栅源电压为8 V，并且Id连续漏极电流为950mA，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds导通漏极-漏极电阻为350m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为3ns，正向跨导最小值为1.5S，沟道模式为增强。
FDG313N/135，带有FAIRCHIL制造的用户指南。FDG313N/135采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
FDG313N-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDG313N-NL采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
