9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQD12P10TF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQD12P10TF参考价格$6.364。onsemi FQD12P10TF封装/规格：MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252。您可以下载FQD12P10TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQD12N20TM是MOSFET 200V N沟道QFET，包括卷盘封装，它们设计为在0.009184盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为55 ns，上升时间为120 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为7.3S，沟道模式为增强。
FQD12P10，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQD12P10在TO-252-2封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQD12P10-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQD12P10-NL采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
