9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF13N50CT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF13N50CT参考价格为1.868美元。onsemi FQPF13N50CT封装/规格：MOSFET N-CH 500V 13A TO220F。您可以下载FQPF13N50CT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQPF13N50C是MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F，包括管封装，它们设计为与FQPF13N60C_NL零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.080072盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有48W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为100 ns，上升时间为100纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为480mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为15S，沟道模式为增强。
FQPF13N50CF是MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为130 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以100ns上升时间提供，器件具有540mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为48W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为13A，正向跨导最小值为15S，下降时间为100ns，配置为单一，信道模式为增强。
FQPF13N50是FSC制造的MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F。FQPF13N50采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F、N沟道500V 12.5A（Tc）56W（Tc）通孔TO-220F、Trans MOSFET N-CH500V 12.5A 3引脚（3+Tab）TO-220E导轨。
