9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD7NK30Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD7NK30Z参考价格$8.118。STMicroelectronics STD7NK30Z封装/规格：MOSFET N-CH 300V 5A DPAK。您可以下载STD7NK30Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STD7N80K5是MOSFET N-CH 800V 6A DPAK，包括SuperMESH5？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1信道数信道，该器件具有供应商器件封装的DPAK，配置为单一，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为110W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为360pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.2 Ohm@3A，10V，Vgs最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为13.4nC@10V，Pd功耗为110 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20.2 ns，上升时间为8.3ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs第th栅极-源阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23.7ns，典型导通延迟时间为11.3ns，Qg栅极电荷为13.4nC，信道模式为增强。
STD7NB20带有ST制造的用户指南。STD7NB20TO-252封装，是IC芯片的一部分。
STD7NB20T4带有ST制造的电路图。STD7NB20 T4采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
