9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDH15N50，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDH15N50参考价格为18.444美元。onsemi FDH15N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3。您可以下载FDH15N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDH055N15A是MOSFET N-CH 150V TO-247-3，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，提供通孔等安装方式功能，封装外壳设计用于TO-247-33，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为429W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为9445pF@75V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为158A（Tc），最大Id Vgs的Rds为5.9 mOhm@120A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为92nC@10V，Pd功耗为429 W，下降时间为21 ns，上升时间为67 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为167 A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为92nC，正向跨导Min为219S。
带有用户指南的FD-H13-FM2，包括FX-500系列，设计用于反射式传感方法，传感距离如数据表注释所示，用于13.780英寸（350mm），提供连接方法功能，如电缆，电缆长度设计为78.740英寸（2000.00mm）。
FDH1040B-R14M=P3，电路图由TOKO制造。FDH1040B-R14M=P3可用于SMD封装，是IC芯片的一部分。
