9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD7NM50N-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD7NM50N-1参考价格为1.234美元。STMicroelectronics STD7NM50N-1封装/规格：MOSFET N-CH 500V 5A IPAK。您可以下载STD7NM50N-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如STD7NM50N-1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STD7NK40ZT4是MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK，包括SuperMESH？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为70W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为400V，输入电容Cis-Vds为535pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.4A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1 Ohm@2.7A，10V，Vgs最大Id为4.5V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为26nC@10V，Pd功耗为70W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为5.4A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型导通延迟时间为15s，正向跨导最小值为3.5S，信道模式是增强。
STD7NK40Z-1带有ST制造的用户指南。STD7NK40-1采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
STD7NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 5A DPAK。STD7NM50HN可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 5A DPAK，N通道500V 5A（Tc）45W（Tc）表面安装D-Pak。
